用于半導(dǎo)體晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝

測(cè)量、分析、改進(jìn)
WX3000 3D 和 2D 測(cè)量和檢測(cè)系統(tǒng)為晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝的應(yīng)用提供了高速、高分辨率和高精度的良好組合，以提高良品率和生產(chǎn)率。

由MRS提供

提供了一個(gè)高速、高分辨率和高精度的良好組合。MRS 傳感器被廣泛用于 SMT 和半導(dǎo)體市場(chǎng)的檢測(cè)。諾信獨(dú)特的傳感器結(jié)構(gòu)可同時(shí)捕捉和并行傳輸多個(gè)圖像，同時(shí)專有的3D融合算法將圖像合并在一起。 其結(jié)果是超高質(zhì)量的3D圖像和高速檢測(cè)。

3微米的納米分辨率 (X/Y分辨率為3微米，Z分辨率為 50 納米) MRS傳感器使得計(jì)量級(jí)的精度成為可能，并且具有良好的3D和2D測(cè)量性能，用于特征點(diǎn)小至25微米的應(yīng)用。

先進(jìn)的MRS 傳感器技術(shù)，能夠細(xì)致地識(shí)別和拒絕由閃亮的零件和鏡面表面引起的多重反射。有效地抑制多重反射對(duì)于高精度的測(cè)量是至關(guān)重要的。

在執(zhí)行那些數(shù)據(jù)處理速度超過(guò)每秒7500萬(wàn)個(gè)3D點(diǎn)的情況下，納米分辨率MRS傳感器的處理速度比其他技術(shù)快2到3倍，每小時(shí)提供的產(chǎn)量量超過(guò)25片（300毫米）。所有3D 和 2D 測(cè)量和檢查能夠在高速下同時(shí)完成。與其對(duì)應(yīng)，慢的方法需要對(duì)2D和3D進(jìn)行兩次單獨(dú)的掃描，且只有對(duì)少數(shù)芯片的采樣。

計(jì)量級(jí)精度

具有 MRS 技術(shù)
• 亞微米的精度用于小至 25 μm的特征點(diǎn)
• 準(zhǔn)確檢查光亮或鏡狀的表面。
• 獲得可重復(fù)的和可復(fù)現(xiàn)的測(cè)量值。

快速且優(yōu)質(zhì)的檢測(cè)

• 提高了產(chǎn)量，具有 MRS 傳感器的速度比其他技術(shù)快2到3倍，每小時(shí)提供的產(chǎn)量超過(guò)25片（300毫米）。
• 與多次單獨(dú)掃描相比，一次掃描可以同時(shí)獲得3D和2D測(cè)量。
• 與僅抽樣的方法相比，可進(jìn)行所有的3D和2D計(jì)量和檢驗(yàn)。

多功能性

多功能性可用于晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝的應(yīng)用
• 測(cè)量和檢測(cè)廣泛的半導(dǎo)體應(yīng)用包括，金凸點(diǎn)、錫球和凸點(diǎn)、晶圓凸點(diǎn)、銅柱、以及其他晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝的應(yīng)用。
• 測(cè)量和檢查關(guān)鍵的封裝特征，包括凸點(diǎn)高度、共平面度、直徑和形狀、相對(duì)位置和其他測(cè)量的種類。